电动绞盘的自诊断技术
Warn成立于1947年,是绞盘研发与生产的领先企业之一。曾经作为美国军方的指定绞盘供应商,产品被全球100多个国家和地区的客户采购。
电动绞盘使用大功率直流电机驱动,并利用变速机构输出强大力量带动轮鼓工作。电机在大功率、强电流、持续工作状态下产生大量热能,如不能够采取有效的保护措施,电机将因过热失效(永磁电机),以至于烧毁电机。因此在电动绞盘的通用手册上,绞盘厂方提示用户“不要在满载下连续工作超过一分钟,以免电机烧坏”。
除了如何凭用户经验来保护绞盘电机外,生产技术上也力求采用监控模块来控制绞盘工作状态下的负载、电流、温度等关键参数,Warn推出具有“自诊断”功能的系列绞盘,如9.5ti具有温度自检功能。
而9.5si采用M.O.S.F.E.T.诊断控制模块,可以有效监控欠压、过压、电流强度等电气指标。
以下我们对M.O.S.F.E.T.进行简单的分析。Don Zaremba 在eettaiwan.com发布的《汽车电子系统使用自保护MOSFET需考虑的因素》可以作为一个参考。
汽车电子系统中使用的功率组件必须能抵受极为严峻环境的考验:它们必须能承受关闭瞬流和负载切断电源故障引起的高压突波;若环境工作温度超过120℃,组件结温则将随之而来升高;线束中的众多连接器位于方便组装和维修的位置,这可能造成组件电气连接的间断。由于新的负载需要的功率越来越大,所以即使在正常的条件下工作,组件承受的压力也明显加大。
为了提高系统可靠性并降低保修成本,设计人员在功率组件中加入故障保护电路,以免组件产生故障,避免对电子系统造成高代价的损害。这通常利用外部传感器、分离电路和软件来实现,但是在更多情况下,设计人员使用完全自保护的MOSFET功率组件来完成。随着技术的发展,MOSFET功率组件能够以更低的系统成本提供优异的故障保护。
图1显示了完全自保护MOSFET的一般拓朴结构。这些组件常见的其它特性包括状态指示、数字输入、差分输入和过压及欠压切断。高阶配置包括芯片上电荷泵功能。但是,大多数组件都具备三个电路模块,即电流限制、温度限制和漏-源过压箝制,为组件提供大部份的保护。
图1:完全自保护MOSFET的一般拓朴结构。
短路故障
最常见也最麻烦的故障可能是短路。这类故障有以下几种形式:负载间的短路、开关间的短路或电源接地的短路。而且,这些短路组件启动和关闭时都会产生。由于短路故障通常是间歇性,即使在很短时间中就存在多种形式,使问题更为棘手。例如,在组件之间产生短路而MOSFET关闭的情况下,电流透过短路向MOSFET周围分流。
然而,如果短路是间歇性、负载为电感的情况下,电流中断将在MOSFET上产生一个反驰(flyback)电压。根据短路持续的时间和电阻,负载电感中的峰值电流可能会高于正常工作时的峰值电流。因此,组件比预期吸收更多的能量,而且多个间歇性短路事件的快速连续产生会导致峰值结温急剧升高,从而对组件产生潜在的破坏性。
过温故障
其它故障包括组件接脚的静电放电(ESD)、线路瞬流或电感负载开关引起的过压,还有就是过热。过温故障通常由其它故障引起,如短路便会快速增加组件的功耗,也可能由极端环境条件或热路径异常引起,如组件散热器和电路板之间的焊料失效。在诸多故障模式下,自保护MOSFET产品的控制电路以一种安全模式来检测并控制组件工作,使组件在故障修复后可以恢复正常功能。
由于主动组件(MOSFET闸极氧化物接口除外)已与闸极输入接脚连接,因此漏极与源极之间短路时,此接脚的泄漏电流(50-100uA)比标准MOSFET泄漏电流的测量值(< 50nA)大三个数量级。泄漏电流的增加通常不会对闸极驱动电路产生影响,但是,闸极驱动电路必须能够在电流限制或热关机故障情况下驱动足够大的电流。在过流和过温故障的情况下,组件一般将功率MOSFET闸极节点电压下拉至接近饱和的工作闸限电压或零伏,以完全关闭组件。
通常闸极输入接脚和功率MOSFET闸极节点之间存在一个串联电阻(Rsin-Vgate)/Rs。组件通常在结温超过预设限制温度时关闭。在这种情况下,Vgate=0伏,所以在过温故障时必须产生一个等于Vin/Rs的最小源极电流。否则,内部闸极下拉电路将无法关闭功率场效应管,使其结温可能达到产生破坏作用的水平。
过温保护
通常过温保护是透过对主功率MOSFET主动区域的温敏组件(一般为二极管)设置偏压来实现的。若这些组件侦测到芯片结温超过过温设定值时,电路将主功率MOSFET闸极拉至地,关闭该组件。一些组件内建滞后电路,使组件可以在芯片结温稍微下降(一般下降10℃-20℃)后返回导通状态。图2显示安森美的NIF5022N组件短路电流和时间响应之间的关系。在其它组件中,若检测到过温故障情况,电流将锁存,而输入接脚必须固定对锁存进行重置。